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  1. 单片机应用技术选编(7)

  2. 内容简介    《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇,其中全文编入的有113篇,摘要编入的397篇。全书共分八章,即单片机综合 应用技术;智能仪表与测试技术;网络、通信与数据传输;可靠性与抗干扰技术;控制系统 与功率接口技术;电源技术;实用设计;文章摘要。    本书具有重要实用价值,书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动,提高单片机应用技术水平,是从事单片机应用 开发技
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2010-05-19
    • 文件大小:13631488
    • 提供者:zgraeae
  1. 基础电子中的浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

  2. 导读:本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发,系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点,从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术,并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。   一、背景   绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有MOS输入、双极输
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:104448
    • 提供者:weixin_38634065
  1. 浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

  2. 导读:本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发,系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点,从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术,并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。   一、背景   绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有MOS输入、双极输
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:103424
    • 提供者:weixin_38712279