浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器

为实现垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）大功率窄线宽输出，设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面发射激光器（SR VCSEL）。电流密度分布会影响模式的分布，模拟结果表明，矩形台面VCSEL相比于圆形台面VCSEL，在有源区面积增大的情况下，电流密度分布不变。在矩形台面VCSEL出光孔表面刻蚀浅面浮雕后，高阶模式比基模的阈值增益的变化大，基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明，矩形浅面浮雕结构的VCSEL能够实现对高阶模式的抑制，测试结果得到连续输出为5.87 mW，光谱宽度为0.1 nm，功