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  1. 西门子变频器维修经验及相关电路图.pdf

  2. 西门子变频器维修经验及相关电路图pdf,变频器和交流电机组成的交流调速系统具有更宽的允许电压波动范围、更小的面积、更强的通讯能力，在工矿企业中得到了广泛的应用。在变频器的应用中，也会遇到各种各样的故障现象，借助于变频器完善的自诊断保护功能，并通过平时工作中积累的经验来提高处理变频器故障的技术水平，这将明显地缩短变频器故障处理的时间。22内门」6SET系列变频器的操作控制山板PMU液晶显示屏上尢显,“屏” (1)故障现象:西门子6SE7016-1TA61-乙变频器操作控制面板PMU液晶显示屏“黑屏

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 测量场效应管栅极和漏极

  2. 测量场效应管栅极和漏极 在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V。过压会造成击穿 场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38668243

  1. 关于场效应管的测试方法

  2. 场效应管的测试方法 结型场管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，该管属于N沟道场效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：138240
    • 提供者：weixin_38586428

  1. 关于场效应管的测量方法

  2. 场效应管测量方法 电阻法测电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：148480
    • 提供者：weixin_38726007

  1. 三极管和场效应管测量

  2. 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：611328
    • 提供者：weixin_38723683

  1. 如何用万用表测量场效应管三极管的好坏

  2. 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38617615

  1. 工业电子中的用深度反转层反馈晶体管测量场效应管阈值电压

  2. 传统上，采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄，而凹形衬底又是高度掺杂的，因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高。为了可在薄的栅极氧化层不被击穿的情况下测量场效应管阈值电压，这儿提出了一种新的结构。其中多晶佳栅极限制在薄氧化区，但通过一个金属栅极产生的场感应沟道连接源区和漏区(图2)。这一器件是一个金属栅和多晶硅栅极复合晶体管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38537689

  1. 具有极小的寄生电容和漏极感应势垒降低的自对准U型栅极碳纳米管场效应晶体管

  2. 引入了用于碳纳米管（CNT）场效应晶体管（FET）的新型自对准U栅极结构，并显示出与以前的最佳CNT FET相当的出色的性能，可重复性开发了自对准器件结构。 特别是，U栅极FET的亚阈值摆幅为75 mV / dec，漏极引起的势垒降低有效地为零，这表明整个CNT通道的静电势最受U栅极控制，并且CNT该器件是性能良好的FET。 此外，研究了U栅FET的高频响应，并测量了该器件的寄生电容，该寄生电容比先前开发的自对准器件结构的寄生电容小一个量级。 直接频域测量表明，U栅CNT FET可以在高达800

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38642285

  1. 三极管和场效应管测量

  2. 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。 　　判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：436224
    • 提供者：weixin_38705014