随着大规模集成电路芯片制造步入十几纳米技术节点时代，光刻机的对焦控制变得越来越困难，其精度需要达到几十纳米。基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理，开展了浸没光刻对焦控制统计分析方法研究。根据系统结构分析出一系列误差源，研究了这些误差对总离焦误差的贡献方式及其与总离焦误差的关系。研究结果表明：由于光刻对焦误差中存在非正态分布的误差贡献项，常规正态统计分布使用的3σ原则就无法满足99.7%的对焦成功率要求；在28，14，7 nm技术节点集成电路芯片制造过程中，采用3σ和4σ原则得到的浸没光
