0 引 言 　　动态存储器中的数据以电荷形式存储在电容中，因为MOS晶体管漏电，电荷会逐渐漏失，最终造成数据丢失。所以，动态存储器就需要不断对数据进行刷新，补充电荷。由于漏电流的大小受温度影响较大，导致电荷在存储器电容中的保持时间随着温度改变而改变。传统的刷新电路产生刷新信号的时钟周期是预先设计好的，固定不变，无法根据温度的变化自己调节周期，因此，传统的刷新电路设计的刷新时钟是基于高温的情况，刷新频率很快，这样就使得常温的时候刷新比较频繁，消耗大量功耗。 　　本文提出一种具有温度自适应的刷新