您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响

  2. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响,王彬,赵子文,利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-19
    • 文件大小:388096
    • 提供者:weixin_38629449