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搜索资源列表

  1. 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  2. 详细分析基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-07-12
    • 文件大小：172032
    • 提供者：y297374507

  1. 关于集电极开路（OC）或漏极开路...

  2. OC(漏极开路)只是三极管的集电极未使用上或下拉电阻就接到了负载上，也就是说，回路是通过负载连接的，没有负载时，集电极就是开路的。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-03-19
    • 文件大小：1024
    • 提供者：yimandezi

  1. 集电极开路_漏极开路_推挽_上拉电阻_弱上拉

  2. (经典)集电极开路_漏极开路_推挽_上拉电阻_弱上拉_三态门_准双向口 全面的介绍很细致

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-08-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qq_15529973

  1. 集电极开路_漏极开路_推挽_上拉电阻_弱上拉_三态门_准双向口

  2. 集电极开路_漏极开路_推挽_上拉电阻_弱上拉_三态门_准双向口 讲解得超经典，不懂的同学有福了。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-12-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：must_7775734

  1. 经典 集电极开路 漏极开路 推挽 上拉电阻 弱上拉 三态门 准双向口

  2. 经典 集电极开路 漏极开路 推挽 上拉电阻 弱上拉 三态门 准双向口 详细介绍

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-11-01
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：cocozjl2003

  1. 电极开路,漏极开路,推挽,上拉电阻,弱上拉,三态门,准双向口

  2. 集电极开路,漏极开路,推挽,上拉电阻,弱上拉,三态门,准双向口

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-03-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：liwenchen

  1. 共漏极放大电路

  2. 本文主要讲述共漏极放大电路的电压放大倍数、输入电阻及输出电阻。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：17408
    • 提供者：weixin_38723373

  1. 测量场效应管栅极和漏极

  2. 测量场效应管栅极和漏极 在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V。过压会造成击穿 场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38668243

  1. VMOS共漏极组态的驱动及电路图

  2. VMOS管共漏极组态的驱动要比共源极组态的驱动困难些，但还是比双极晶体管共集电极组态的驱动容易，当需要负载一段接地时，或者需要有源推-拉输出电路时，场采用共漏极电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：17408
    • 提供者：weixin_38665944

  1. 栅极源极漏极怎么区分

  2. 栅极，源极，漏极，三个名字是从英文而来的。 栅极（gate electrode）gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。 源极（source）source资

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：208896
    • 提供者：weixin_38680492

  1. 脉冲漏极电流IDM及短路保护

  2. 单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38747444

  1. 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  2. 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。开关过程中，功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时，功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列，线性增加。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38687218

  1. 集电极开路漏极开路推挽输出

  2. 本文介绍了集电极开路、漏极开路和推挽输出等输出方式的原理及实际应用注意事项。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38501045

  1. 集电极开路（OC）与漏极开路（OD）

  2. 本文详细介绍了集电极开路（OC）/漏极开路（OD）输出的结构，配有原理图，简单易懂。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38679045

  1. 电路中漏极开路上拉电阻取值的问题探讨

  2. 本文主要就电路中漏极开路上拉电阻取值问题进行了探讨。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-15
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38699593

  1. 推挽逆变器中两开关管漏极产生尖峰的原因分析

  2. 本文从原理出发分析了在推挽逆变器中两开关管漏极产生尖峰的原因，提出了改进方法，并在实际应用中得到验证是可行的，相比于传统推挽逆变器，极大地提升了了性能，提高了效率和稳定性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：257024
    • 提供者：weixin_38607784

  1. 传感技术中的带开路漏极脉宽调制输出的线性霍尔效应传感器A1356

  2. A1356 装置是一款带脉宽调制（PWM）输出的高精度可编程开路漏极霍尔效应线性传感器 IC。PWM 输出信号的占空比 (D) 与施加的磁场成比例。A1356 装置能通过其内置霍尔元件将模拟信号转换为数字编码 PWM 输出信号。数字编码 PWM 输出的耦合抗扰性远远超出了模拟输出信号的抗扰性。 　　A1356 具有 BiCMOS 单片电路，该电路集成了霍尔元件、用于降低霍尔元件固有的灵敏度和偏移漂移的高精度温度补偿电路、小型信号高增益放大器、专有动态偏移取消电路、以及 PWM 转换电路。动态偏

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38674409

  1. 元器件应用中的共漏极电路（源极输出器）

  2. 共漏极电路如图所示。该电路中除有源极电阻RS提供的目偏压外，还有由R1和R2组成的分压器为栅极提供的固定栅偏压。共漏极电路的输出与输入同相，可起到阻抗变换器的作用。 共源极电路 共漏极电路 　　共漏极基本放大电路的主要参数可由以下各式确定:　　  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38689922

  1. 基于低频噪声分析的65nm NOR Flash存储器P / E循环对漏极扰动的影响

  2. 研究了编程/擦除（P / E）循环对65 nm节点NOR闪存中漏极干扰的影响。 结果表明，漏极干扰源于在编程操作中由带对隧道效应（BBT）引起的热空穴注入（HHI）。 随着循环的增加，由于在隧穿氧化物中循环期间产生的负陷阱和界面，漏极干扰变得更加严重。 研究了新鲜电池和循环电池排水干扰前后的1 / f噪声，以支持上述结论。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-26
    • 文件大小：713728
    • 提供者：weixin_38641764

  1. 无结双栅极多晶硅TFT的表面电势计算和漏极电流模型

  2. 无结双栅极多晶硅TFT的表面电势计算和漏极电流模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：786432
    • 提供者：weixin_38609247
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