早在20世纪60年代，S. R. Ovshinsky提出了硫系相变材料可以用于存储器领域，这类材料便广泛应用于市场。硫系相变材料由于具有晶态、非晶态的光学性能差异，已经成功应用于光存储媒介中；同时利用其晶态和沉积态导致的电阻差异，开发研制出非挥发性固态存储器。通过调节激光的功率，可以令硫系相变材料具有多层次的光学或者电学特征，这是未来制造相变光电器件的基础。研究人员通过实验方法证实了硫系相变材料的晶态和非晶态具有较好的抗腐蚀选择性；硫系相变材料的光学非线性吸收特性，能够有效突破衍射极限，实现纳米
