片状独石陶瓷电容器已诞生近50年。其间，片状独石陶瓷电容器通过介电体层的薄型化以及新型介电体材料的开发，稳步实现小型化和大容量化。由此，片状独石陶瓷电容器逐渐从率先普及的铝电解电容器、钽电解电容器、薄膜电容器手中夺取市场，势力范围不断扩大（图1）。比如静电容量范围在10μ～100μF的产品中，2002年片状独石陶瓷电容器的所占比例几乎为零，但随着向小型化和大容量化方向发展，到2005年可向市场投放产品中，片状独石陶瓷电容器的所占比例就升至约1/3，到2007年更是提高到了约2/3（图2）。 图

片状多层陶瓷电容器又称片状独石电容器，其外形结构如图27-5所示。生产时将作为电极材料的铂、钮或银的浆料印刷在生坯陶瓷膜上，经层叠烧结，然后再涂敷Ag-Pd外电极。外电极常采用三层结构(内层为Ag或Ag-Pd，中层为镀Ni或Ca，外层镀Sn或Sn－Pb)，易于焊接，也可改善耐热及耐湿性。 图:片状多层陶瓷电容器结构  

片状独石陶瓷电容器的尺寸比砂糖粒还要小。对于这一微小部件在电子设备中所起到的作用，大家知道多少呢。片状独石陶瓷电容器担负着为半导体器件提供电力供应的支持，消除导致误操作及性能下降的噪声等等重要的职责。而且，以微细加工技术制造的微处理器、DSP、MCU及FPGA等半导体器件，如果没有片状独石陶瓷电容器的话也无法正常工作。　　小型化和大容量化的历史　　目前，片状独石陶瓷电容器的市场规模在铝电解电容器、钽电解电容器及薄膜电容器等各种电容器中。2008年日本国内供货量为6278亿个，日本国内供货金额达到