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变电值班技师鉴定内容
变电值班技师鉴定内容 资料项目 范 围 内 容 基础知识 1.直流电路 用网孔法、节点法及戴维南定理分析、求解简单电阻电路 2.交流电路 能对三相交流电路中有功、无功功率的损耗进行计算,能运用复数进行三相交流电路计算 4.电磁感应 磁路的常用公式,能进行磁路的基本运算 专 业 知 识 1.分析计算 (1)牵引供电系统短路电流的计算方法 (2)能用对称分量法分析计算不对称电路 (3)铁磁谐振的分类和特点,分析产生的条件及对系统的危害 (4)防雷接地装置保护范围的计算和校验 (5)电弧产生形成的过
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-03-31
文件大小:49152
提供者:
z312085642
牵引变原理及应用
有关牵引变电方面的原理及应用资料,共需要的同志,共同学习和参考。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-12-08
文件大小:10485760
提供者:
bdw110
单轨吊辅助运输系统在综采工作面的应用实践
综采工作面传统辅助运输设备大都采用小绞车或无极绳绞车牵引运输的方式,这种运输方式存在运输环节多、不安全因素多、运输能力受限、人员投入多等缺点。针对这一问题,提出了在综采工作面使用单轨吊辅助运输系统,阐述了单轨吊辅助运输系统包括轨道系统、机车系统、辅助控制设备等在内的主要结构原理及组成部分,总结分析可知,单轨吊辅助运输系统在使用实践中可实现不同运输任务间的切换,适用于多种类负荷的运输,在变坡和多方向路网上实现重载荷连续、快速运输,运输效率高,且具有较高的安全性能。
所属分类:
其它
发布日期:2020-06-02
文件大小:140288
提供者:
weixin_38585666
元器件应用中的变频器的直接转矩控制
直接转矩控制(又称DTC控制),直接转矩控制属第四代产晶,其基本原理是通过对磁链和转矩的直接控制来确定逆变器的开关状态,这样不需复杂的数学模型及中间变换环节,而能有效地控制转矩值,现产品可在0.5~0Hz时,有大于150%~200%TN的起动转矩值,非常适用于重载、起重、电力牵引、大惯量、电梯等设备的拖动要求,但精度不如矢量控制的好,低于0.1%,电路较矢量控制简单得多,调试容易,价格也低。直接转矩控制的工作原理是通过检测定子电流和电压,即可得磁通和转矩模型,判断磁链矢量的空间位置,再经速度调节
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-15
文件大小:69632
提供者:
weixin_38606169
元器件应用中的压控晶体振荡器选用中的几个问题
1 前言 压控晶体振荡器(VCXO)是通过红外加控制电压使振荡效率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。VCXO主要由石英谐振器、变容二极管和振荡电路组成,其工作原理是通过控制电压来改变变容二极管的电容,从而“牵引”石英谐振器的频率,以达到频率调制的目的。VCXO大多用于锁相技术、频率负反馈调制的目的。VCXO大多用于锁相技术、频率负反馈系统及频率调制,已是通信机、移动电话、寻呼机、全球定位系统(GPS)等众多电子应用系统必不可少的关键部件。 VCXO允许频率控制的范围比较宽,牵引度一
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-22
文件大小:87040
提供者:
weixin_38745233
压控晶体振荡器选用中的几个问题
摘要:本文介绍了压控晶体振荡器电参数的特点以及选用时注意的问题。关键词:压控晶体振荡器1前言 压控晶体振荡器(VCXO)是通过红外加控制电压使振荡效率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。VCXO主要由石英谐振器、变容二极管和振荡电路组成,其工作原理是通过控制电压来改变变容二极管的电容,从而“牵引”石英谐振器的频率,以达到频率调制的目的。VCXO大多用于锁相技术、频率负反馈调制的目的。VCXO大多用于锁相技术、频率负反馈系统及频率调制,已是通信机、移动电话、寻呼机、全球定位系统(GPS)等众多电子
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-03
文件大小:110592
提供者:
weixin_38623366
IGBT的结构与工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:159744
提供者:
weixin_38507121
IGBT浅析,IGBT的结构与工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:209920
提供者:
weixin_38683721
IGBT是什么_IGBT结构及工作原理介绍
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:123904
提供者:
weixin_38697753