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  1. 开关功率MOS扫盲篇.pdf

  2. N沟进，P沟出　我的理解是N沟道　是电压从D沟进去，从S出来。　　P沟道　是电压从S沟进去，从D出来， 开关功率MOS扫盲篇 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等， 也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性， 驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-26
    • 文件大小：76800
    • 提供者：mieningtsai

  1. 彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet(规格书)

  2. 所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细 说明书。说明书用来说明各种产品的性能。这对于 在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些 情况下，不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有 微妙的区别，尤其在一些非重要参数例如切换时间。 另外，数据说明书所包含的信息不一定和应用相关 联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要 特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。本文以 BUK553-100A为例, 这是一种100 V逻辑电平MOS管 漏极电流值(ID) 和总耗散功率都在这部分给出。这

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-07-03
    • 文件大小：185344
    • 提供者：kinkwon

  1. 开关电源核心技术.pdf

  2. 开关电源核心技术pdf,开关电源是一种电压转换电路，主要工作内容是升压和降压，广泛应用于现代电子产品，因为开关三极管总是工作在开和关的状态，所以称为开关电源。维修 有些开关电源很复杂,元器件密密麻麻,很多保护和控制电路, 在没有技术支持的情况下,维修起来是一件很头疼的事。在我面对这种情 况时,首先我会找到开关管及其参与振荡的外围电路,把它从电路屮分离 出来,看它是否满足振荡的条件,如检测偏置是否正常,正反馈冇无故障, 还有廾关管本身,计关电源有板强大的保护功能,排除后检察掉制和保护 及负载电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743602

  1. (TI) 认识开关型电源中的BUCK-BOOST.pdf

  2. (TI) 认识开关型电源中的BUCK-BOOSTpdf,开关电源由功率级和控制电路组成，功率级完成从输入电压到输出电压的基本能量转换，它包括开关和输出滤波器。这篇报告只介绍降压–升压（buck-boost）功率级，不包含控制电路。详细介绍了工作在连续模式和非连续模式下buck-boost功率级的稳态和小信号分析，同时也介绍了标准buck-boost功率级的不同变型，并讨论了功率级对组成部件的要求。中 TEXAS STRUMENTS www.ti.com.cn Buck- Boost级稳态分析 2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 【会议PPT】鼎阳-开关电源测量中的“干货”问题交流.pdf

  2. 【会议PPT】鼎阳-开关电源测量中的“干货”问题交流pdf,示波器带宽通常是指模拟带宽。是指示波器前端放大器的幅频特性曲线的截止频率点。也就是正弦波输入信号被衰减到信号真实幅度70.7%时的频率，也称为-3dB截止频率点。电源测试项目 看波形 测电压 测电流 测损耗 电源质量 冲击电流 输入 输出 电流谐波 调制分析 开关元件 动态导通电阻 电源路径 安全工作区SOA 控制回路 开启/关断特性 转换速率 开关损耗 原效率 G SIGLENT www.siglent.com 开关电源测试点&测试

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  2. 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。开关过程中，功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时，功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列，线性增加。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38687218

  1. 看懂MOSFET数据表，第2部分—安全工作区 (SOA) 图

  2. 作为一名功率MOSFET工程师，在FET数据表的所有内容中，除了电流额定值之外，被问到的最多的问题可能就是安全工作区 (SOA) 曲线了。这是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地带，这是因为每个供应商都有各自生成SOA曲线的方法，并且在提供有用信息方面，这个曲线所具有的价值与阅读数据表的人对于读到的信息的理解能力直接相关。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38751031

  1. 理解功率 MOSFET 的电流

  2. 通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选取这些电流值，常常感到困惑不解，本文将系统的阐述这些问题,并说明了在实际的应用过程中如何考虑这些因素，最后给出了选取它们的原则。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：114688
    • 提供者：weixin_38609765

  1. 元器件应用中的针对应用选择正确的MOSFET驱动器

  2. 目前，现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。 　　从功能上讲，MOSFET驱动器将逻辑信号转变成较高的电压和电流，以很短的响应时间驱动MOSFET栅极的开和关。例如，使用MOSFET驱动器可以将一个5V、低电流的单片机输出信号转变成一个18V、几安培的驱动信号来作为功率MOSFET的输入。针对应用选择正确的MOSFET驱动器，需要对与MOSFET栅极电荷和工作频率相关的功耗有透彻的理解。例如，不管栅极电压的转变快或慢，MOSFET栅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38526979

  1. 元器件应用中的理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

  2. 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中*定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。 　　EAS，IAR和EAR的定义及测量 　　MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其最终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：150528
    • 提供者：weixin_38733355

  1. 电源技术中的IC电源线路中流过的电流

  2. 为理解旁路电容的必要性，用由图1所示的CMOS逻辑电路构成的开关电路进行实验。 　　图1 用于实验电源旁路电容必要性的电路 　　可以认为CMOS逻辑IC的消耗电力非常小，但这是在CMOS在较低频率下动作时的说法。在高速时钟频率动作的电路中，如图2所示，消耗的电力与时钟频率成比例。目前高速CPU几乎都由CMOS构成，所以消耗的电力也未必很小。 　　在图1的实验电路中，CM0S的负载电容CL＝1000pF，假设作为负载的功率MOSFET的门驱动。 　　一般的逻辑电路中的负载为低电容。但是

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：194560
    • 提供者：weixin_38631729