瑞萨科技公司今日宣布研制出一种高速度、高可靠性的MRAM（磁阻式随机存取存储器）技术，用于系统级芯片（SoC）。　　瑞萨科技运用这项技术，利用130 nm（纳米）CMOS工艺制造了存储容量为1 Mb的MRAM存储器原型样品。研究表明，在1.2 V的工作电压下，有希望在143 MHz或者更高的工作频率下高速运行，而且在一千亿次重复写入试验中进行的测量证实，它的性能并没有下降。　　瑞萨科技通过与三菱电气公司合作进行的研究，取得了这些成果，并且在2004年12月14日（美国时间）在美国旧金山举行的IE