王国雄a，王雪洁b （浙江大学a.超大规模集成电路设计研究所；b.城市学院信息与电子工程分院，杭州310027） 摘 要：通过对光刻系统中光学成像系统的模拟，提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法，并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程。建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型，有助于开发由成品率驱动的版图设计工具，自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务。 关键词：光刻