本文介绍有关用于LTE 微蜂窝式与有源天线系统式基站应用的小型高效GaN Doherty 放大器。该Doherty 放大器采用TriQuint 半导体公司开发的T1G6001528-Q3 器件，是一种宽频带的分立GaN 射频功率晶体管。该Doherty 放大器具有以下特征： 在LTE 频率范围（2.62 GHz ~ 2.69 GHz） 、平均输出功率为38.5 dBm、饱和输出功率峰值超过46 dBm、漏电效率超过55%、增益超过15 dB、LTE 两载波 (2x 10 MHz 载波)、 信号波