通过比较快速热退火（RTA）和熔炉退火（FA）条件，研究了退火对B型注入的n型太阳能电池Si性能的影响。 基于瞬态增强扩散的硼扩散动力学机理，通过技术计算机辅助设计，从理论上模拟了硼的轮廓和残余损伤。 与快速热退火的样品相比，经退火炉退火的样品显示出的最低残留损伤光谱是通过引导卢瑟福背散射光谱法获得的。 此外，用霍尔和QSSPC技术对硼注入样品的电性能进行了表征，揭示了一种趋势，即增加退火热收支将导致更高的有源载流子密度和更低的发射极饱和电流密度。 最后，制造钝化的发射极太阳能电池以验证退火条件