用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc-GeSiO2)。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱,其结果与晶体Ge的拉曼谱相比,纳米Ge的拉曼峰位红移峰形变宽;用拉曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得结果与声子限域理论模型符合。