采用激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成了SiC纳米陶瓷粉,对其合成工艺进行了研究,用多种分析手段对粉体进行了测试表征,同时对合成的非晶纳米SiC粉和初期晶化进行了探讨。实验结果表明：通过控制反应物蒸气流量,可对反应温度进行控制,从而实现对粉体组成、结构进行控制。在其他条件不变时,当反应物蒸气流量为700～820 sccm时,可制得较为理想的平均粒径为10～15 nm的非晶SiC纳米粉；非晶SiC纳米粉在1160℃氩气氛下晶化处理,开始晶化,由非晶SiC经固相反应得到β-SiC。