研究了双极性Cu / HfO2 / Pt电阻随机存取存储器（RRAM）的RESET开关。 利用统计方法，我们系统地分析了RESET电压（V-RESET）和RESET电流（I-RESET）。 根据原始实验数据的散点图，V-RESET根据R-ON显示U形分布。 通过串联电阻（RS）进行数据校正后，V-RESET几乎恒定，而I-RESET随R-CF线性降低。 这些行为与RESET的热溶解模型一致。 此外，I-RESET和V-RESET分布受R-ON分布的强烈影响。 使用“电阻屏蔽”方法，发现I-RES