我们建议使用超导纳米线作为目标和传感器，直接检测亚GeV暗物质。 由于对电子上的少量能量沉积具有出色的灵敏度，并且暗计数低，因此此类设备可用于探测来自暗物质散射和吸收过程的电子反冲。 我们使用现有制造的钨硅化钨纳米线原型进行了测量，该原型的能量阈值为0.8 eV，暴露时间为10000 s时为4.3 ng，没有暗计数。 该设备的结果已经在暗物质-电子相互作用上设置了有意义的界限，包括迄今为止在亚eV暗光子吸收方面最强的地面界限。 将来在较大规模和较低阈值的情况下进行的预期制造应能在直接检测领域中探