最近研制了频率达100 GHz的超高频电子器件。这些器件扩大了微微秒激光研究法的应用范围。此外，弄清楚了电荷传移过程和结构变化常常是在微微秒和毫微微秒时间间隔中发生的。因此，获取相应脉宽的电脉冲是必要的，例如用于测量超髙频电子器件的响应函数。1975年提出了利用半导体在超短光脉冲下导电性的变化来获得这种电脉冲的思想。研制了硅、砷化镓、非晶态硅、CdS、InP等材料制成的高速快门。