在有效质量近似的基础上，从理论上研究了半导体和阶梯式势垒对半导体阶梯式量子阱中氢杂质态的影响。 数值结果表明，电子和杂质态高度依赖于电场和阶梯式量子阱中的阶梯势垒。 施加的对称电场在阶梯式量子阱中诱导了供体结合能的不对称分布。 当以与阶梯势垒层的生长方向相反的方向施加电场时，电场对具有任意阶梯势垒高度的阶梯式量子阱中任意位置处的杂质的施主结合能具有显着影响。 然而，当沿着阶梯状势垒层的生长方向施加电场时，位于任何杂质位置的杂质的施主结合能对阶梯状QW中阶梯状势垒高度的变化不敏感。