（武汉理工大学 材料科学与工程学院， 武汉 430070）摘 要：采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法（EBED）制备了ZnO:Al（ZAO）透明导电薄膜。用正交试验法设计试验，并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素（沉积厚度、沉积速率、基片温度）对薄膜性能（透射率、电阻率）的作用。试验结果表明：采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时，沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为250℃，镀膜系统工作稳定，沉积薄膜的性能较好。 关键词：ZAO薄膜,电子束蒸发沉积,正交试验 中图分类号：TN3