真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法。采用这种方法制造薄膜，已有几十年的历史，用途十分广泛。一般说来，真空蒸发（除电子束蒸发外）与化学气相沉积、溅射镀膜等成膜方法相比较，有如下特点：设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率效率高，用掩模可以获

摘要介绍了电子束蒸发镀膜速率控制的基本原理和方法，选取实际生产中大量使用且蒸发特性较难控制的Si02 和Hf02，对两者的电子束蒸发速率控制分别进行了实验研究。采用比例积分微分(PID)闭环反馈控制，通过 Ziegler—Nichols工程经验公式进行原始参量整定，并在实验的基础上对控制器的原始参量进行调整以及对积分作 用和微分作用进行分区处理，速率控制的实验结果表明，采用该参量整定方法并结合工艺流程的改进，能获得良好 的速率控制。针对速率控制中存在的难点问题进行了分析，并提出改进措施：将速率控

（武汉理工大学 材料科学与工程学院， 武汉 430070）摘 要：采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法（EBED）制备了ZnO:Al（ZAO）透明导电薄膜。用正交试验法设计试验，并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素（沉积厚度、沉积速率、基片温度）对薄膜性能（透射率、电阻率）的作用。试验结果表明：采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时，沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为250℃，镀膜系统工作稳定，沉积薄膜的性能较好。 关键词：ZAO薄膜,电子束蒸发沉积,正交试验 中图分类号：TN3

介绍了电子束蒸发镀膜速率控制的基本原理和方法,选取实际生产中大量使用且蒸发特性较难控制的SiO2和HfO2,对两者的电子束蒸发速率控制分别进行了实验研究。采用比例积分微分（PID）闭环反馈控制,通过Ziegler-Nichols工程经验公式进行原始参量整定,并在实验的基础上对控制器的原始参量进行调整以及对积分作用和微分作用进行分区处理,速率控制的实验结果表明,采用该参量整定方法并结合工艺流程的改进,能获得良好的速率控制。针对速率控制中存在的难点问题进行了分析,并提出改进措施：将速率控制和电子枪扫