摘要：本文对常见的混频器结构进行了调整,提出了一种新的混频器结构——低压低功耗混频器,分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降,从而达到降低电源电压的目的。采用1.5V TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真,该混频器仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm。 　　自20世纪60年代以来，集成电路的发展一直遵循1965年Intel公司的创始人之一Gordon