随着半导体制造商向65纳米技术转移并展望更小节点，严峻的测试挑战也开始浮出水面。现在，工艺开发工程师们必须放弃由硅、二氧化硅、多晶硅和铝材料构成的良性世界，而将自己置于由硅锗(SiGe)、绝缘体上硅(SOI)、亚硝酸铪(HfNO2)、金属栅、低k和铜材料构成的充满挑战的世界中。这些新材料对工艺和器件特性提出了新的测试要求，其中一些关键的应用包括先进的高k栅测试、晶圆上射频s参数测试、SOI基底的等温直流和射频测试，以及低至千万亿分之一安培(fA)水平的泄漏电流测试。 因此，传统的直流测试方法已