摘要  随着器件尺寸的持续减小，以及在器件的制造中不断使用新材料，对晶圆级可靠性测试的要求越来越高。在器件研发过程中这些发展也对可靠性测试和建模也提出了新的要求。为了满足这些挑战需要开发更快、更敏感、更具灵活性的可靠性测试工具。 随着集成电路技术的持续发展，芯片上将集成更多器件，芯片也将采用更快的时钟速度。在这些要求的推进下，器件的几何尺寸将不断缩减，并要求在芯片的制造工艺中并不断采用新材料和新技术。这些改进对于单个器件的寿命来说影响非常大，可能造成局部区域的脆性增加、功率密度提高、器件的复杂