注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 三栅FinFET电学特性仿真分析与研究

  2. 有关三栅FinFET电学特性仿真分析与研究，长篇论文

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-04-20
    • 文件大小：16777216
    • 提供者：xuejay007

  1. GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析

  2. GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析，陈文丽，李军帅，本文从理论上研究了GaAs衬底-纳米线型pn结的电学特性。结果显示，GaAs衬底-纳米线型pn结表现出明显的二极管特性，与已有的实验数据相�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：694272
    • 提供者：weixin_38625164

  1. N型多孔GaAs的表面形貌，反射率和直流电学特性分析

  2. N型多孔GaAs的表面形貌，反射率和直流电学特性分析，关健，刘维峰，本文主要介绍了多孔GaAs在不同溶液下的刻蚀机理与表面形貌差异，发现了HCL溶液中和HF溶液中刻蚀机理，刻蚀孔的孔径形貌有很大差别。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-20
    • 文件大小：811008
    • 提供者：weixin_38690095

  1. Y2O3/Si界面电学特性研究

  2. Y2O3/Si界面电学特性研究，王旭，贾仁需，为了研究不同退火温度对Y2O3/Si界面电学特性的影响，对Y2O3/Si界面做快速热退火处理。用CV和IV方法对Al/Y2O3/Si/Al MOS电容进行电学特性测试�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-17
    • 文件大小：276480
    • 提供者：weixin_38546608

  1. 骨组织电学特性的临床应用

  2. 骨组织电学特性的临床应用，武晓刚 ，陈维毅，对骨组织而言，正常的生理活动可导致骨骼的局部变形，即应变、微观损伤、压电电位、骨小管内液体流动和流动电位。骨内电现象主要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：410624
    • 提供者：weixin_38697979

  1. 高能率电爆炸粉末喷涂实验系统及其电学特性

  2. 高能率电爆炸粉末喷涂实验系统及其电学特性，周刚毅，董新龙，本文设计了一种参数可控的高能率电爆炸粉末喷涂实验系统。利用该系统进行了Cu粉电爆炸喷涂实验，分析了Cu粉电爆炸过程中电压、电�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：462848
    • 提供者：weixin_38651507

  1. Sb掺杂SnO2基NTC热敏陶瓷的制备及电学特性

  2. Sb掺杂SnO2基NTC热敏陶瓷的制备及电学特性，李根，陈景超，为开发新型负温度系数(NTC)热敏陶瓷材料，以锡粉为原料、采用湿化学法制备了锑掺杂氧化锡Sn1-xSbxO2-δ(x=0.003、0.005、0.007和0.01)粉体材料�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：673792
    • 提供者：weixin_38739744

  1. 衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响

  2. 衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响，李硕石，程轶，采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，于不同衬底温度下在c面蓝宝石衬底上制备了Sb掺杂的ZnO薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射(XRD),霍�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：290816
    • 提供者：weixin_38639237

  1. 纳米硅/单晶硅异质结的电学特性

  2. 纳米硅/单晶硅异质结的电学特性，周哲，刘爱民，本文主要研究了i nc-Si:H/p c-Si异质结的能带结构和载流子输运特性。采用HWCVD技术在p型单晶硅衬底上分别制备了晶化率为66% 和38%的本征纳�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：521216
    • 提供者：weixin_38500734

  1. 热敏电阻常识之热敏电阻电学特性

  2. 热敏电阻的特点及电学特性，热敏电阻的物理特性用下列参数表示：电阻值、B值、耗散系数、热时间常数、电阻温度系数。。。。。。。。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-07-30
    • 文件大小：45056
    • 提供者：sixu0517

  1. LED的电学特性、光学特性及热学特性

  2. LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱回应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-23
    • 文件大小：108544
    • 提供者：weixin_38720461

  1. 柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性(英文)

  2. 以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性。实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善。当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1)。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：524288
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 可延展通用互连结构电学特性研究

  2. 可延展通用互连结构电学特性研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：991232
    • 提供者：weixin_38641111

  1. 基于GaAs的太赫兹阻塞杂质带检测器的电学特性仿真

  2. 数值研究了基于GaAs的阻塞杂质带（BIB）检测器的电学特性。 考虑到GaAs阻挡层的不成熟性，给出了器件的电子密度和电场分布。 然后，通过考虑杂质带效应来模拟与温度相关的暗电流特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：740352
    • 提供者：weixin_38644688

  1. 金刚石层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管电学特性的影响

  2. 金刚石层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管电学特性的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：524288
    • 提供者：weixin_38631729

  1. 后退火对原子层沉积ZnO沟道/ Al2O3-介电薄膜晶体管电学特性的影响

  2. 后退火对原子层沉积ZnO沟道/ Al2O3-介电薄膜晶体管电学特性的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：861184
    • 提供者：weixin_38684806

  1. 退火对非晶态Er2O3薄膜结构和电学特性的影响

  2. 通过使用React蒸发将非晶Er（2）O（3）膜沉积在Si（001）衬底上。 本文报道了在氧气气氛中，随着退火温度的变化，结构，形态和电特性的变化。 X射线衍射和高分辨率透射电子显微镜测量表明，即使在700摄氏度退火后，薄膜仍保持非晶态。在450摄氏度退火的Er（2）O（3）薄膜的累积区域中的电容高于该薄膜。沉积的薄膜和在其他温度下退火的薄膜。 提出了Er（2）O（3）/ ErO（x）/ SiO（x）/ Si结构模型来解释结果。 退火后的薄膜还表现出低的漏电流密度（在-1 V偏压下约为1.38

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38613154

  1. 超声喷涂热解技术制备高性能ZnO场效应晶体管的电学特性

  2. 超声喷涂热解技术制备高性能ZnO场效应晶体管的电学特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：560128
    • 提供者：weixin_38650379

  1. 高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响

  2. 研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压应力的大小.增加的压应力一方面通过增强GaN层的压电极化电场,提高了AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)面密度,另一方面使AlGaN势垒层对2DEG面密度产生的两方面影响相互抵消.同时,这种AlN插入层的采用降低了GaN与AlGaN层之间的晶格

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：633856
    • 提供者：weixin_38666823

  1. 光伏电池与分光耦合系统的热学与电学特性

  2. 根据光伏电池与环境之间的牛顿传热以及禁带宽度对温度的依赖特性, 获得光伏电池的热学与电学特性。实验研究结果表明,光伏电池的温度高于环境温度,并随着输出电压的增加呈先减小后增加的趋势, 与辐射强度呈线性递增的关系; 短路电流随着辐射强度的增加而升高, 而开路电压随着辐射强度的增加呈先增加后减小的趋势; 优化光伏电池输出电压和太阳能辐射强度可以获得最大效率。在AM 1.5G标况下,将部分辐射能输入至集热系统, 构造一个分光型光伏-热耦合系统,而该系统可以提高太阳能的利用率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38601446
« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 »