在“半导体C-V测量基本原理”一文中，我曾谈到，电容-电压(C-V)测试长期以来被用于判断多种不同器件和结构的各种半导体参数，适用范围包括MOSCAP、MOSFET、双极结型晶体管和JFET、III-V族化合物器件、光伏(太阳能)电池、MEMS器件、有机薄膜晶体管(TFT)显示器、光电二极管和碳纳米管等等。研发实验室广泛利用C-V测量技术*测新材料、工艺、器件和电路。负责产品和良率增强的工程技术人员利用它们优化工艺和器件性能。可靠性工程师利用这类测量技术对供货商的材料进行资格检验，监测工艺参数，

刊登在上一期的《电容-电压(C-V)测量技术与技巧(上)》，讨论了如何针对特定的应用选择最合适类型的C-V测量仪器，并探讨某些C-V测试的典型功能和参数提取限制、连接探针台以及校正探针尖的技巧。这里将探讨识别和校正典型C-V测试误差的方法。 　　常见C-V测量误差 　　偏移和增益误差(如图7所示)是C-V测量中最常见的误差。X轴以对数标度的方式给出了电容的真实值，大小范围从皮法到纳法。Y轴表示系统实际测量的值，包含测量误差。如果测量系统是理想的，那么所测出的值将与真实值完全匹配，可以画成一条

在“半导体C-V测量基本原理”一文中，我曾谈到，电容-电压(C-V)测试长期以来被用于判断多种不同器件和结构的各种半导体参数，适用范围包括MOSCAP、MOSFET、双极结型晶体管和JFET、III-V族化合物器件、光伏(太阳能)电池、MEMS器件、有机薄膜晶体管(TFT)显示器、光电二极管和碳纳米管等等。研发实验室广泛利用C-V测量技术*测新材料、工艺、器件和电路。负责产品和良率增强的工程技术人员利用它们优化工艺和器件性能。可靠性工程师利用这类测量技术对供货商的材料进行资格检验，监测工艺参数，