我们研究了电弱相互作用暗物质（DM）模型，其中DM是SU（2）L三重态费米子的中性成分，它通过SM单重态希格斯玻色子耦合到标准模型（SM）希格斯扇区。 在这种设置中，DM可以在可重归一化的级别上将违反CP的耦合耦合到单重态Higgs玻色子。 只要存在非零的希格斯门耦合（单重双希格斯玻色子混合），我们就可以通过电子的电偶极矩来探测CP违反DM的情况。 假设O（1）违反CP的幅度，我们研究电子EDM与单重态希格斯玻色子质量和耦合之间的关系。 发现对于中等数值的希格斯门户耦合，由于工作中的消除机制，当

标量暗物质的希格斯门户是在非线性实现的电弱对称破坏的背景下考虑的。 我们确定了规范玻色子和物理希格斯粒子h对标量单重态暗物质候选者的主要相互作用。 现象学的后果也得到了详细的研究，包括将这种情况与标准的希格斯门户区别开来的可能性，在门户中线性实现电弱对称性破坏。 具有显着影响的两个特征是：i）电弱标度v和希格斯粒子之间的联系偏离了（v + h）功能依赖性，因为希格斯场不一定是精确的电弱双峰。 ii）在非线性和线性扩展中存在以不同顺序出现的特定耦合。 这些事实深深地影响了暗物质遗迹的丰富度，以及