随着科学技术快速的发展，电接枝技术在各个当中应用。3D-IC设计者希望制作出高深宽比（HAR>10:1）硅通孔（TSV），从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，最终改进信号的完整性。事实上，当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预测。样做的结果要么影响产品的性能，要么使工艺占有成本高得无法接受。 　　当前，采用一种纳米技术解决方案可实现HAR>20:1的结构，而成本只占传统工艺的一部分。纳米技术（nanotechnology）是用单个原子、分子制造

3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，最终改进信号的完整性。事实上，当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预测。