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  1. 西普：XHV160A供水专用变频器说明书.pdf

  2. 西普：XHV160A供水专用变频器说明书pdf,XHV100系列高性能矢量变频器特点有 三种速度控制方式：无PG矢量控制(SVC)、有PG矢量控制(VC)、V／F控制方式； 达到180％的低频力矩输出，转矩控制精度±5％(VC)； 有PG矢量控制提供转矩控制模式，为张力控制提供专业的解决方案； 有PG矢量控制速度精度达到±0.1％， 提供1：1000的速度控制范围； 18.5~90kW变频器内置直流电抗器，提高输入侧功率因数，提高整机效率及稳定性，有效消除输入侧的高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 电源技术中的一款低噪声开关电源变压器的设计

  2. 在开关电源设计中，功率变压器的设计极为关键，尤其是工作频率提高后，要达到电源的功率密度尽量高，同时要满足较好的EMC指标有一定的难度。下面介绍一种变压器设计方法，可大大改善开关电源的EMI噪声。 　　由于一次侧和二次侧绕组间寄生电容的存在，变压器“开关”时，在分界处存在dV/dt，将“静默层”布置在绝缘胶带的两侧，即一次侧和Vin相连的一端，二次侧和地相连的一端，分别布置在绝缘胶带两侧，可以减小分界处寄生电容的dV/dt。由于场效应管的漏极电压是波动的，将其绕为骨架的第一层，这样外层

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：175104
    • 提供者：weixin_38677190

  1. 电源技术中的高压电容器充电控制器LT3751特性/应用/资料下载

  2. 描述 　　LT:registered:3751 是一款能够接受高输入电压的反激式控制器，专为把一个大电容器快速充电至一个可由用户调节的目标电压 (利用变压器匝数比和 3 个外部电阻器来设定) 而设计。一个任选的反馈引脚可用来提供一个低噪声高电压已调输出。 　　LT3751 具有一个集成的轨至轨 MOSFET 栅极驱动器，因而可在低至 4.75V 的电压条件下实现高效运作。一个 106mV 的低差分电流检测门限电压准确地限制了峰值开关电流。利用可由用户选择的过压和欠压闭锁电路提供了针对 VCC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：153600
    • 提供者：weixin_38706007

  1. 一款低噪声开关电源变压器的设计

  2. 在开关电源设计中，功率变压器的设计极为关键，尤其是工作频率提高后，要达到电源的功率密度尽量高，同时要满足较好的EMC指标有一定的难度。下面介绍一种变压器设计方法，可大大改善开关电源的EMI噪声。 　　由于侧和二次侧绕组间寄生电容的存在，变压器“开关”时，在分界处存在dV/dt，将“静默层”布置在绝缘胶带的两侧，即侧和Vin相连的一端，二次侧和地相连的一端，分别布置在绝缘胶带两侧，可以减小分界处寄生电容的dV/dt。由于场效应管的漏极电压是波动的，将其绕为骨架的层，这样外层可屏蔽内层发

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：168960
    • 提供者：weixin_38631599

  1. 一款低噪声开关电源变压器的设计

  2. 在开关电源设计中，功率变压器的设计极为关键，尤其是工作频率提高后，要达到电源的功率密度尽量高，同时要满足较好的EMC指标有一定的难度。下面介绍一种变压器设计方法，可大大改善开关电源的EMI噪声。 　　由于侧和二次侧绕组间寄生电容的存在，变压器“开关”时，在分界处存在dV/dt，将“静默层”布置在绝缘胶带的两侧，即侧和Vin相连的一端，二次侧和地相连的一端，分别布置在绝缘胶带两侧，可以减小分界处寄生电容的dV/dt。由于场效应管的漏极电压是波动的，将其绕为骨架的层，这样外层可屏蔽内层发射的电磁场

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：267264
    • 提供者：weixin_38724154