2007年8月27 日，凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357，该器件在多重 N+1 冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。         LTC4357 控制一个外部 N 沟道MOSFET 以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。