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  1. 电源技术中的利用PECVD技术来提高晶体硅太阳能电池生产

  2. 一 引言   为了提高晶体硅太阳能电池的效率,通常需要减少太阳电池正表面的反射,还需要对晶体硅表面进行钝化处理,以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。   硅的折射率为3.8,如果直接将光滑的硅表面放置在折射率为1.0的空气中,其对光的反射率可达到30%左右。人们使用表面的织构化降低了一部分反射,但是还是很难将反射率降得很低,尤其是对多晶硅,使用各向同性的酸腐蚀液,如果腐蚀过深,会影响到PN结的漏电流,因此其对表面反射降低的效果不明显。因此,考虑在硅表面与空气之间插一层折射率适中的透光介质
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-08
    • 文件大小:282624
    • 提供者:weixin_38600696