在这部分展示一个实例，适配器采用FSDM311，工作规范AC85～265V的输入电压范围。10W 输出功率、5V输出电压、67 kHz的开关频率。此时，RCD吸收回路选择1 nF吸收电容，480kΩ吸收电阻，图1示出波形。 　　漏电压（Vds 200V／div）、电源电压（VCC 5V／div）、反馈电压（Vfb 1V／div）、漏电流（Id 0.2A/div）按下面次序，内部MOSFET最大电压应为675V，数据表中给出为 650V。超出此值有二个原因，其一是变压器设计不当；其二是吸收回路设

当MOSFET关断时，就会有一个高压尖刺出现在其漏极上。这是由于主变压器的漏感和MOSFET 输出电容谐振造成的，在漏极上过高的电压可能会击穿MOSFET，为此就必须增加一个附加电路来钳制这个电压。在此技术范围，我们介绍反激变换器的RCD吸收回路。 　　－、简介 　　反激变换器是结构最简单的电路拓扑之一。它直接从一个Buck￣Boost变换器放一个电感与之耦合而成，也就是一个加入气隙的变压器。当主功率开关导通时，能量存在变压器中，在开关关断时，又将能量送到输出级。由于在主功率开关导通时变压器