点数信息
www.dssz.net
注册会员
|
设为首页
|
加入收藏夹
您好,欢迎光临本网站!
[请登录]
!
[注册会员]
!
首页
移动开发
云计算
大数据
数据库
游戏开发
人工智能
网络技术
区块链
操作系统
模糊查询
热门搜索:
源码
Android
整站
插件
识别
p2p
游戏
算法
更多...
在线客服QQ:632832888
当前位置:
资源下载
搜索资源 - 电源技术中的提高稳压器过流保护能力的MOSFET
下载资源分类
移动开发
开发技术
课程资源
网络技术
操作系统
安全技术
数据库
行业
服务器应用
存储
信息化
考试认证
云计算
大数据
跨平台
音视频
游戏开发
人工智能
区块链
在结果中搜索
所属系统
Windows
Linux
FreeBSD
Unix
Dos
PalmOS
WinCE
SymbianOS
MacOS
Android
开发平台
Visual C
Visual.Net
Borland C
CBuilder
Dephi
gcc
VBA
LISP
IDL
VHDL
Matlab
MathCAD
Flash
Xcode
Android STU
LabVIEW
开发语言
C/C++
Pascal
ASM
Java
PHP
Basic/ASP
Perl
Python
VBScript
JavaScript
SQL
FoxBase
SHELL
E语言
OC/Swift
文件类型
源码
程序
CHM
PDF
PPT
WORD
Excel
Access
HTML
Text
资源分类
搜索资源列表
电源技术中的提高稳压器过流保护能力的 MOSFET
经典的 LM317型可调输出线性稳压器具有相当大的电流承受能力。此外,LM317还具有限流和过热保护功能。你只需用少量元件增加一个高速短路限流电路,就可提高LM317型 稳压器的性能(图1)。在正常工作状态下,电阻器 R2和R3将VGS偏压加到IRF4905S型功率 MOSFET Q1上,Q1完全导通,呈现数毫欧的导通电阻。电流采样电阻器R1两端的电压降与IC1的输入电流成正比,并为双极晶体管Q2提供基极驱动。 当负载电流增加时,R1两端的电压随之升高,从而使Q2导通,并使Q1的栅极偏压下降
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:53248
提供者:
weixin_38684509