IGBT（绝缘栅双极晶体管）是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。IGBT模块是由一个或多个IGBT芯片分别装在绝缘的衬底上，该衬底被固定在散热用的铜基板上。为便于系统组装，且保持模块内外的引线电感最小，模块中还安装有续流二极管。IGBT主要应用领域包括工业控制、消费电子产品、计算机和网络通信领域等