在过去几年中，对于具有足够高效率管理大功率的系统的市场需求推动SMPS设计师开发出具有低电气损耗的拓扑。带PWM相移控制的全桥转换器就是一种很流行的拓扑，它能在大功率时取得很高的效率，并整合了硬开关技术和软开关技术的优点。本文的目的是研究MOSFET器件用作零压开关(ZVS)转换器中的开关时所受到的潜在电气应力。     零压开关(ZVS)相移转换器被广泛用于满足电源应用市场，比如电信电源、主机计算机-服务器以及高功率密度和高效率是必需的任何应用。为了达到这个目标，我们必须最大限度地减小功率损

在过去几年中，对于具有足够高效率管理大功率的系统的市场需求推动SMPS设计师开发出具有低电气损耗的拓扑。带PWM相移控制的全桥转换器就是一种很流行的拓扑，它能在大功率时取得很高的效率，并整合了硬开关技术和软开关技术的优点。本文的目的是研究MOSFET器件用作零压开关(ZVS)转换器中的开关时所受到的潜在电气应力。     零压开关(ZVS)相移转换器被广泛用于满足电源应用市场，比如电信电源、主机计算机-服务器以及高功率密度和高效率是必需的任何应用。为了达到这个目标，我们必须限度地减小功率损失和