飞思卡尔半导体日前凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术，成功地取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。通过提供采用射频LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够支持高功率无线基础设施应用，其中LDMOS的性能高达3.8GHz，而GaAs PHEMT的性能则高达6GHz。  　　首批3.5GHz LDMOS设备的样品MRF7S38075H现已问世。它是一个75瓦特的P1dB射频晶体管，平均功率为42dBm(16W)，满足在3