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  1. 电源技术中的ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

  2. 意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 元器件应用中的ST推出微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源的能效

  2. 意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on) 极低，只有800微欧 (0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38618784

  1. 元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

  2. 意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38638312

  1. 电源技术中的意法微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

  2. 意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源|稳压器系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。     ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变

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    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38697753

  1. 元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L9

  2. 意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：39936
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