Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代 TrenchFET 芯片技术的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPAK SC-70 封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为 29 毫欧，采用标准 SC-70 封装（2.0 mm×2.1 mm）时为 80 毫欧，采用 SC-89 封装（1.6 mm×1.6 mm）时为 130 毫欧。 　　与市场上仅次之的 MOSFET 相比，这些新型 Visha