（接上期） 　　5.7.4 差模扼流圈 　　在高性能EMI滤波器，为了提高差模噪声的抑制性能，往往采取差模扼流圈与CX电容组成L、T、π等滤波电路。差模扼流圈与共模扼流圈的最大区别在于差模扼流圈与负载直接串联，它采用单个绕组结构绕制而不像共模扼流圈那样在一个磁芯上采用二个相同绕组的结构。因此，当通过差模扼流圈的电流过大时，会产生磁饱和现象，电感量随之逐渐下降，下降的速度取决软磁材料的B(H)和μ(H)特性曲线。 　　为了避免差模磁芯因饱和失去滤波作用，所以磁材的选择尤为重要。目前大多采用复