更高的电流密度和更小的晶体管尺寸，以及用于芯片保护的有限空间，均趋向于增加电子元器件对静电放电(ESD)等瞬态电气过应力事件的敏感性。减少此类瞬态事件的影响，不单有助于防止设备相互“交谈”时导致数据损坏，还可提升总体可靠性。

前言　　移动设备用户之需求日益复杂，使得便携式产品的设计集成了更多的输入/输出(I/O)互连。更高的电流密度和更小的晶体管尺寸，以及用于芯片保护的有限空间，均趋向于增加电子元器件对静电放电(ESD)等瞬态电气过应力事件的敏感性。减少此类瞬态事件的影响，不单有助于防止设备相互“交谈”时导致数据损坏，还可提升总体可靠性。　　ESD 基础　　ESD事件是两个具有不同静电电位的物体经由接触或者电离空气放电或火花放电而进行能量转移而引起。材料类型、接触面积、分离速度、相对湿度和其它因素均影响了摩擦充电生成

前言　　移动设备用户之需求日益复杂，使得便携式产品的设计集成了更多的输入/输出(I/O)互连。更高的电流密度和更小的晶体管尺寸，以及用于芯片保护的有限空间，均趋向于增加电子元器件对静电放电(ESD)等瞬态电气过应力事件的敏感性。减少此类瞬态事件的影响，不单有助于防止设备相互“交谈”时导致数据损坏，还可提升总体可靠性。　　ESD 基础　　ESD事件是两个具有不同静电电位的物体经由接触或者电离空气放电或火花放电而进行能量转移而引起。材料类型、接触面积、分离速度、相对湿度和其它因素均影响了摩擦充电生成