BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示，已经发现能够可靠地在相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法。该小组采用90nm工艺技术，在200k单元阵列中实现了每存储单元为四层(2位元)，并表示已开发出一种编码方法，能克服材料随时间松弛的特性。该mushroom type存储器单元带有掺杂的Ge2Sb2Te5以作为相变材料。