双阈值电压(Vt)技术广泛应用于动态“或”电路中,以实现寄存器文件(RF)设计中的低泄漏,但其待机状态下所选睡眠向量会显着影响其有效性。随着技术扩展到更深的纳米时代,由于PVT(Craft.io,电源电压和温度)变化的影响,双Vt动态或(DV-OR)电路中的睡眠向量选择变得具有挑战性。在本文中,我们分析了DV-OR电路中PVT变化,泄漏特性和睡眠向量之间的关系。我们进一步对睡眠向量选择进行了全面研究,并探索了其在DV-OR电路中的设计空间。最后,我们对多个Vt动态OR电路进行了分析,并提供了睡眠