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搜索资源列表

  1. 密勒电容效应 密勒电容效应

  2. •對低頻響應有影響的“大C”→短路(高頻時)。 •對高頻響應有影響的“C”← 主動裝置各端間所感應的”C” 網路連線間的“C效應” •對反相放大器(Vo與Vi差180°→Av<0負值) 輸出入C↑⇐ 元件輸出入端間”極間電容”及放大器“增益”

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-01-15
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：wys3433533

  1. P2P搜索算法的研究

  2. 本文介绍了P2P网络的模型和工作原理。要想充分的利用P2P网络中的各种资源，首先要能够有效的发现资源，即搜索到这些资源。由于P2P网络的动态性以及可扩展性，设计一个好的P2P搜索方法是比较困难的。在P2P系统中，每个节点即是客户机，又是服务器，所有的数据交换都是在节点间完成。Gnutena是一种完全的分布式、无等级结构的P2P网络模型，能够适应P2P网络中节点频繁加入和离开的自然特性，它具有健壮性、实时性、可靠性、负载平衡等优势。基于Gnutella协议开发的软件越来越多，有大量的用户使用这类

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2010-04-18
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：bearangel2001

  1. 关于场效应管的注意事项

  2. 场效应管的注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。 （3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38678255

  1. 一起低压联络电缆短路事故的分析与处理

  2. 绍了一起从自备发电机组至供电系统低压母线的联络电缆受集肤效应等因素影响而发生短路事故的基本情况，并在分析的基础上采用三相单心电缆品字并联分组敷设的方法来处理的成功案例.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：232448
    • 提供者：weixin_38682242

  1. 电子镇流器局部整流效应保护

  2. 现有电子镇流器的异常情况有下列五种状态，分别为：灯不接入状态;灯的一个阴极损坏使灯处于不能启动的状态;灯的阴极完好，但不能启动状态(去激活状态);启动器开关短路状态;灯尚能工作，但灯的2个阴极中有一个已去激活或损坏。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：135168
    • 提供者：weixin_38725734

  1. 电子维修中的一起低压联络电缆短路事故的分析与处理

  2. 摘要：介绍了一起从自备发电机组至供电系统低压母线的联络电缆受集肤效应等因素影响而发生短路事故的基本情况，并在分析的基础上采用三相单心电缆品字并联分组敷设的方法来处理的成功案例. 　　1 基本情况 　　1.1 供电系统概况某企业的供电系统电源电压为10 kV,有4 台1 600 kVA的主变，正常用电负荷约为6 000 kW,最大负荷可达8 000 kW;有自备柴油发电机组6套，总装机容量为12 550 kW,6套发电机组全部并联到380 V母线上，再用48根单心电缆通过4个联络开关与供电系统

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：200704
    • 提供者：weixin_38655682

  1. C#编写的短路计算程序

  2. 短路故障严重且为发生几率较大得故障。当发生短路时，短路电流较大，所产生的 热效应和电动力效应将使电气设备遭受严重破环。电力系统短路电流计算是电力系统运行分析，设计计算的重要环节，通过编写短路计算程序，应用计算机算出复杂电网中各个支路的短路电流，为实际中电气设备的选择，继电保护装置的安装提供参考数据。 本次设计通过对电力系统三相短路故障的分析，建立三相短路故障的数学模型和研 究方法，根据所选定的数学模型和计算方法编写程序，确定电网各个位置的故障电流和故障电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：qq_41596891

  1. 传感技术中的稳定斩波型精密霍尔效应开关A1120/21/22/25

  2. 描述 　　A1220、A1121、A1122 和 A1125 霍尔效应单极开关是一种在各种温度下都极其稳定和具备抗压特性的传感器 IC，尤其适用于温度最高达 150°C 的作业。动态偏移消除保证了在高温下的良好性能，可降低通常由器件超模压、温度依存性及热应力引起的剩余偏移电压。 　　每个器件都在单硅片上装有以下元件：稳压器、霍尔发电机、小型信号放大器、稳定斩波特性、施密特触发器和具有短路保护功能、最大可汲入 25 mA 电流的开路集电极输出。 　　板载稳压器允许在 3 至 24 V 的电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38680506

  1. 电源技术中的如何实现电子镇流器的局部整流效应保护功能

  2. 摘要：采用高光效的荧光灯并匹配低能耗的电子镇流器，目前仍是室内照明的首先产品。灯管管径的适当变细，使灯的光效得到提高，但也造成了当制作不良或在灯寿命后期发生局部整流效应时造成的危害。本文提出了利用变压器检测异常时的信号，实现电子镇流器在荧光灯出现局部整流效应时的保护功能。 　　1   引言 　　现有电子镇流器的异常情况有下列五种状态，分别为：灯不接入状态；灯的一个阴极损坏使灯处于不能启动的状态；灯的阴极完好，但不能启动状态（去激活状态）；启动器开关短路状态；灯尚能工作，但灯的2个阴极中有一个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：147456
    • 提供者：weixin_38742571

  1. 元器件应用中的结型场效应管（JFET）的主要参数

  2. （1）. 夹断电压VP 　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 　　（2）. 饱和漏极电流IDSS 　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的最大电流。 　　（3）. 直流输入电阻RGS 　　它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。 　　（4）. 低频跨导gm 　　当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38706747

  1. 显示/光电技术中的寄生双极型晶体管闩锁效应的影响

  2. 闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存在于MOS晶体管结构中的两个寄生双极晶体管各自的基极分别与对方的集电极相连，形成了四层的晶闸管的结构。当其中一个晶体管的基－射结电压超过约0.6V时，晶问管将开启，从而导致yDD与yss短路，电路将失去功能。器件甚至可能被大电流所产生的热量所损坏。由于外延层掺杂浓度的减小，PNP晶体管基区Gummel值变小，相应的提高了PNP晶体管的电流增益。同时NPN晶体管的集电极的串联电阻Rev也会随

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38517113

  1. 传感技术中的Allegro全极霍尔效应传感器适合3.6V至24V器件应用

  2. Allegro MicroSystems公司新推出的A3245传感器是业界首个适合3.6V至24V产品使用的全极(Omnipolar)霍尔效应器件。它的工作温度范围从-40℃至150℃。其全极特性可使这种新型数字开关替代簧片开关，可靠性更高，更便于制造，而且无需进行信号调节。也无需在制造时调整磁体方向。 　　这种单芯片A3245传感器还包括电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定、施密特触发器和短路保护开集电极输出。该器件可用于消费电子、计算机/办公室、工业和汽车产品、高级BiCMOS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38666300

  1. 基础电子中的场效应管使用的介绍

  2. 1)由于MOS场效应管的输人电阻非常高，容易造成感应电压过高而击穿。在焊接时，不论是将管子焊到电路上，还是从电路上取下来，应先将各极短路，并先焊漏、源极，后焊栅极。还应注意把电烙铁地线接好，或者断开电源，再进行焊接。    　　2)不能用万用表测MOS管的各极。MOS场效应管在保管储存时应将三个电极短路。    　　3)结型场效应管，因为不是利用电荷感应的原理工作，所以不至于形成感应击穿的情况，但应该注意栅源之间的电压极性不能接反，否则容易烧坏管子。    　　4)由于场效应管的源极、漏极是对称

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：28672
    • 提供者：weixin_38546846

  1. 元器件应用中的场效应管使用注意事项

  2. 使用场效应管时应注意以下事项:　　(1)使用场效应管之前，必须首先搞清楚场效应管的类型及它的电极，必要时应通过仪表进行测试。　　(2)在线路设计中，应根据电路的需要选择场效应管的类型及参数，使用时不允许超过场效应管的耗散功率、最大漏源电流和电压的极限值。　　(3)各类场效应管在使冉时，都要按要求接人偏置电路，并注意偏置电路的极性。　　(4)对于绝缘栅型场效应管(M0S管)，因为栅极处于绝缘状态，其上的感应电荷很不容易放掉，当积累到一定程度时可产生很高的电压，容易将管子内部的Si02膜击穿，所以在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38722348

  1. 元器件应用中的场效应管（mosfet）参数符号意义

  2. Cds---漏-源电容　　Cdu---漏-衬底电容　　Cgd---栅-源电容　　Cgs---漏-源电容　　Ciss---栅短路共源输入电容　　Coss---栅短路共源输出电容　　Crss---栅短路共源反向传输电容　　D---占空比（占空系数，外电路参数）　　di/dt---电流上升率（外电路参数）　　dv/dt---电压上升率（外电路参数）　　ID---漏极电流（直流）　　IDM---漏极脉冲电流　　ID(on)---通态漏极电流　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管）　　IDS---漏源电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38731199

  1. 电源技术中的晶闸管直流稳压器的过流和短路保护

  2. 尽管功率场效应VDMOS 和绝缘栅双极型晶体管IGBT等电力半导体元器件层出不穷,且在电力电子技术领域占据重要位置,晶闸管(可控硅) 却因耐高压耐大电流冲击的特性,仍有着稳固的阵地,受到用户的青睐。在摈弃电流采样、放大和执行等多个环节的情况下,将单结晶体管移相触发器中的晶体管误差放大器改为集成运算放大器,就可实现晶闸管直流稳压器的过流及短路保护,简化了电路结构,并提高了整机的稳定可靠性能和AC - DC变换效率。 工作原理 　　误差放大器采用集成运放的晶闸管直流稳压器的控制电路如图1 所示

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：115712
    • 提供者：weixin_38691220

  1. 电源技术中的场效应管参数符号

  2. Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：48128
    • 提供者：weixin_38724611

  1. Java中的短路效应

  2. 对于逻辑运算符&& 和 ||，学过discrete Math的同学都知道，一个是与，一个是或。在Java中它们存在短路效应。 　　对于a && b，只有当a和b同时为true时，整个表达式才为true，在java中，首先运算表达式a，如果a为true，则继续运算表达式b，如果表达式a为false，那么整个表达式也肯定为false，所以表达式b不会被运算。 　　对于a || b，至少有一个为true，则表达式为true，如果a为false，整个表达式的值等于表达式b的值，因此继续运算表达式

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-22
    • 文件大小：29696
    • 提供者：weixin_38606206

  1. 内建电位差下二氧化钛纳米管阵列中的贝塔伏特效应

  2. 我们报告了夹层型金属/ TiO2纳米管（TNT）阵列/金属结构的制造以及它们在内置电压下通过接触电势差产生的β伏特效应。 夹层结构通过固定在Ti箔上的TNT阵列与Ni基板上的放射性同位素63Ni平面源（Nie63Ni / TNT阵列/ Ti）集成在一起。 在活性为8 mCi的63Ni源辐射下，该结构（TNT直径〜130 nm，长度〜11 mm）在开路电压为1.54 V，短路电流为12.43 nA的情况下，具有7.30％的最佳能量转换效率。 。 TNT阵列由于其宽带隙和纳米管阵列构造而具有开发β伏

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38710198

  1. 连续激光对三结GaAs电池的损伤效应

  2. 在空气中和真空中，利用波长为1070 nm的连续（CW）激光辐照三结砷化镓（GaAs）太阳电池，通过测试激光辐照前后电池的电流-电压曲线，并利用激光诱导电流（LBIC）成像系统和X射线光电子能谱仪（XPS），研究了三结GaAs太阳电池的损伤情况。结果表明，当激光功率密度为8.4 W/cm2、辐照时间为10 s时，在空气中，底电池Ge熔融短路；在真空中，顶电池Ga0.5In0.5P和底电池Ge均发生短路，说明三结GaAs太阳电池的底电池最容易受到破坏，且电池在真空中比在空气中更容易受到损伤。该研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38747087
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