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  1. 研诺逻辑发布双速率可控负载开关AAT4282A

  2. 专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech),宣布推出一款新型双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A,它实现了在单一的2×2mm封装内集成两个低电阻、转换速率可控负载开关,从而使设计师实现了减少元器件数量、并降低了成本。作为研诺快速成长的特殊应用功率MOSFET(ASPM)产品系列中的一部分,AAT4282A带有两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),每一个典型的RDS(ON)在电压为5V时仅为60mΩ,通过提供比市场上竞争性
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-21
    • 文件大小:59392
    • 提供者:weixin_38517113
  1. 研诺推出双转换速率可控负载开关

  2. 研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)日前宣布推出一款新型双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A,它实现了在单一的2 x 2 mm封装内集成两个低电阻、转换速率可控负载开关,从而使设计师实现了减少元器件数量、并降低了成本。作为研诺快速成长的特殊应用功率MOSFET(ASPM)产品系列中的一部分,AAT4282A带有两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),每一个典型的RDS(ON)在电压为5V时仅为60m,通过提供比市场上竞争性单体产品更低的正向电压降,支持更高负载开关电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:87040
    • 提供者:weixin_38572979
  1. 研诺推出降低系统占板面积的双转换速率可控负载开关

  2. 研诺逻辑科技有限公司,日前宣布推出一款新型双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A,它实现了在单一的2×2mm封装内集成两个低电阻、转换速率可控负载开关,从而使设计师实现了减少元器件数量、并降低了成本。作为研诺快速成长的特殊应用功率MOSFET(ASPM)产品系列中的一部分,AAT4282A带有两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),每一个典型的RDS(ON)在电压为5V时仅为60mΩ,通过提供比市场上竞争性单体产品更低的正向电压降,支持更高负载开关电流处理能力。  “转换速率可控
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:56320
    • 提供者:weixin_38691055
  1. 研诺推出负载开关AAT4282A

  2. 专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech) ,日前宣布推出一款新型双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A,它实现了在单一的2 x 2 mm封装内集成两个低电阻、转换速率可控负载开关,从而使设计师实现了减少元器件数量、并降低了成本。作为研诺快速成长的特殊应用功率MOSFET(ASPM)产品系列中的一部分,AAT4282A带有两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),每一个典型的RDS(ON)在电压为5V时仅为60 mΩ,通过提供
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-05
    • 文件大小:60416
    • 提供者:weixin_38677234
  1. 研诺推出双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A

  2. Analogic推出一款新型双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A,它实现了在单一的2 x 2 mm封装内集成两个低电阻、转换速率可控负载开关,从而使设计师实现了减少元器件数量、并降低了成本。作为研诺快速成长的特殊应用功率MOSFET(ASPM)产品系列中的一部分,AAT4282A带有两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),每一个典型的RDS(ON)在电压为5V时仅为60 m?,通过提供比市场上竞争性单体产品更低的正向电压降,支持更高负载开关电流处理能力。 多种转换速率选择 
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-05
    • 文件大小:75776
    • 提供者:weixin_38642369
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的研诺逻辑推出双转换速率可控负载开关AAT4282A

  2. 专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech),日前宣布推出一款新型双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A,它实现了在单一的2×2mm封装内集成两个低电阻、转换速率可控负载开关,从而使设计师实现了减少元器件数量、并降低了成本。作为研诺快速成长的特殊应用功率MOSFET(ASPM)产品系列中的一部分,AAT4282A带有两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),每一个典型的RDS(ON)在电压为5V时仅为60mΩ,通过提供比市场上竞
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:70656
    • 提供者:weixin_38666785
  1. 研诺新款双转换速率降低系统占板面积和成本

  2. 研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech) ,日前宣布推出一款新型双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A,它实现了在单一的2 x 2 mm封装内集成两个低电阻、转换速率可控负载开关,从而使设计师实现了减少元器件数量、并降低了成本。作为研诺快速成长的特殊应用功率MOSFET(ASPM)产品系列中的一部分,AAT4282A带有两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),每一个典型的RDS(ON)在电压为5V时仅为60 m,通过提供比市场上竞争性单体产品更低的正向电压降,支持更高负载
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-19
    • 文件大小:55296
    • 提供者:weixin_38684335