到目前为止，亚稳态CdZnO薄膜的电泵浦激光作用尚未实现。 在这里，我们已经演示了从具有不同Cd含量的六方CdZnO薄膜中电泵浦波长可调谐的蓝色随机激光，其中心波长从相似的490 nm变为425 nm。 构造了基于硅衬底上的Au / SiO2 / CdZnO的金属-绝缘体-半导体结构的器件，用于电泵浦CdZnO膜。 器件中CdZnO薄膜上的SiO2绝缘层应在足够低的温度（例如400摄氏度）下进行退火，以使CdZnO薄膜在近带边缘发射方面保持其完整性。

到目前为止，亚稳态CdZnO薄膜的电泵浦激光作用尚未实现。 在这里，我们已经演示了从具有不同Cd含量的六方CdZnO薄膜中电泵浦波长可调谐的蓝色随机激光，其中心波长从相似的490 nm变为425 nm。 构造了基于硅衬底上的Au / SiO2 / CdZnO的金属-绝缘体-半导体结构的器件，用于电泵浦CdZnO膜。 器件中CdZnO薄膜上的SiO2绝缘层应在足够低的温度（例如400摄氏度）下退火，以使CdZnO薄膜在近带边缘发射方面保持其完整性。