用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n+/n Si材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电集成,5 V偏压下PIN探测器的最小暗电流为0.8 LA,最大光响应电流为2.7LA,最大总量子效率为14%,工作波长为K=1.3 μm。