随着电流密度的增加，多层结构硅元件的过渡特性和稳定性，在很大的程度上是由电子-空穴散射，p-n结注入系数减小，载流子俄歇复合辐射等非线性效应所决定。哪一种过程为主，一般根据在较宽的电流密度范围内测量伏安特性来确定。但是，这些结果受到许多难以估计的因素的影响，比如p-n结清晰度、强合金层和金属接触电阻、强合金层的扩散长度等等。