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  1. <<实用工业硅技术>>实用工业硅技术编写组

  2. <>实用工业硅技术编写组

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-06
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：chiti

  1. 2009秋季IDF：引领硅技术创新（英文）

  2. 在IDF 2009英特尔信息技术峰会上，英特尔公司高级副总裁兼技术与制造事业部总经理——Bob Baker在题为《引领硅技术创新》的演讲中，主要讨论了三个议题。一，摩尔定律的前景；二，半导体技术的未来，与硅技术的革新；三，新机遇下的可扩展型新技术。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-05
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：weixin_38659789

  1. 2009秋季IDF：引领硅技术创新（演讲稿英文）

  2. 在IDF 2009英特尔信息技术峰会上，英特尔公司高级副总裁兼技术与制造事业部总经理——Bob Baker在题为《引领硅技术创新》的演讲中，主要讨论了三个议题。一，摩尔定律的前景；二，半导体技术的未来，与硅技术的革新；三，新机遇下的可扩展型新技术。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：112640
    • 提供者：weixin_38555616

  1. 最新汽车动力系统电子电路中的硅技术

  2. 本文将首先审视一些跟伦德尔（Lundell）式电动机（更广为人知的名称是“交流发电机”）相关的持续改进的极佳示例。由于采用了更好的电子控制，它的能效提升了，更多的能量被恢复，发动机频繁启动的影响被处理平顺了。本文的第二部分将重点介绍汽车中加入的更多传感器，这些传感器将帮助进一步降低传统内燃发动机对石油的依赖。最后一段阐释现有电感型传感器技术可以怎样优化刹车踏板以帮助汽车节省更多能量。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-28
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38691220

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的恒忆下一代存储推动医疗电子设计

  2. "在医疗电子应用中，质量和可靠性非常重要。此外，不同的应用对闪存的要求都不相同，如引导代码存储需要高可靠性、应用程序存储需要高读写性能、数据日志记录需要擦写次数、海量数据存储需要高密度……"在日前举办的第三届中国国际医疗电子技术大会（CMET2010）上，恒忆嵌入式系统事业部亚洲市场部业务拓展经理祁峰为我们带来了医疗应用市场对闪存的要求以及恒忆存储器技术的介绍。   恒忆嵌入式系统事业部亚洲市场部业务拓展经理祁峰在CMET2010上   　　祁峰介绍，恒忆利用业界领先的硅技术和封装技术开发出了多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：123904
    • 提供者：weixin_38713057

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的多家方案商推出基于英特尔平台的信息化解决方案

  2. 行业信息化步入了一个高速发展的时期，信息技术是各个行业得以发展的坚实基础，它的应用离不开硬件提供商、软件开发商、系统集成商等产业链伙伴的共同努力。英特尔依托硅技术的先进性，与广泛的产业链合作，共同推动行业信息化应用。 　　基于英特尔平台的行业信息化解决方案： 　　★ 数字医疗解决方案（数字医院、社区医疗、 农村卫生所） 　　★ 数字化教育解决方案（农村教育、 一对一数字化学习） 　　★ 数字化铁路解决方案 　　★ 智能电网解决方案 　　信息化是指培养、发展以计算机为主的智能化工具为代表的新生产力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：108544
    • 提供者：weixin_38685793

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的沙子变“黄金”! CPU制造全过程

  2. 现在市场上产品丰富，琳琅满目，当你使用着配置了最新款CPU的电脑在互联网上纵横驰骋，在各种程序应用之间操作自如的时候，有没有兴趣去想一想这个头不大、功能不小的CPU是怎么制作出来的呢。另外一家号称信息产业的蓝色巨人的IBM，也拥有强大的处理器设计与制造能力，它们最先发明了应变硅技术，并在90纳米的处理器制造工艺上走在最前列。在今天的文章中，我们将一步一步的为您讲述中央处理器从一堆沙子到一个功能强大的集成电路芯片的全过程。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：194560
    • 提供者：weixin_38659789

  1. 电源技术中的IR发布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET

  2. 导读：全球功率半导体领先供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）日前发布其近日新增产品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET. 　　总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。 　　性能特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38569219

  1. 汽车电子中的最新汽车动力系统电子电路中的硅技术

  2. 简介 　　当今的汽车正朝着提供高能效同时对环境影响降至最低的方向发展。但就长远而言，以非石油为基础的动力系统似乎是最具前景的解决方案；与此同时，汽车工业正在推出基于现有技术引入更多改进。一项主要趋势是混合动力化（hybridization），其中微混合动力（包括停止-启动系统）和轻度（mild）混合动力存在大量增长机会。这些“适度混合动力”方案可能看上去已经过气，但业界仍在围绕这些应用进行大量电子及机械开发。 　　本文将首先审视一些跟伦德尔（Lundell）式电动机（更广为人知的名称是“交流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：210944
    • 提供者：weixin_38645266

  1. 各种AMOLED技术的介绍

  2. 本文介绍了AMOLED的生产中的金属氧化物技术、低温多晶硅技术、非晶硅技术、微晶硅技术、有机膜蒸镀技术、光射出方式技术,并对其优缺点进行了分析。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38587509

  1. 通信与网络中的SiGe半导体推出基于硅技术的大功率2GHz无线LAN功放

  2. SiGe 半导体现已推出 2GHz 无线 LAN 功率放大器 (PA) 模块。型号为 SE2576L 的全新 IEEE802.11bgn 器件，是业界尺寸最小且效率最高的功率放大器，发射功率为26dBm。SE2576L 瞄准需要大射频 (RF) 发射功率的网络应用，如家庭影院或数据传输、企业和室外网络，以及公共上网热点，能够提供完整的覆盖范围和更高的链路预算，实现更快速、更高效的数据传输。 　　SiGe 半导体 亚太区市场推广总监高国洪表示：“SE2576L的设计焦点是易于使用和提供最大灵活性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38688380

  1. 电源技术中的IR推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组

  2. 国际整流器公司(International Rectifier，IR)针对高频和高效率DC-DC应用，推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点(POL)转换器设计、伺服器、高端台式电脑和笔记本电脑应用。 　　新25V芯片组结合IR新的HEXFET MOSFET硅技术与DirectFET封装技术，整合高密度、单一控制和单一同步MOSFET解决方案在SO-8元件，并采用了0.7mm轻薄设计。新的IRF6710S、IRF6795M和IRF6797M元件导通电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38596267

  1. 电源技术中的IR推出为高频和高效DC-DC应用优化的25V DirectFET芯片组

  2. 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出25V同步降压式转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点 (POL) 转换器设计，以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。 　　新25V芯片组结合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，在SO-8占位面积及0.7mm纤薄设计中实现了高密度、单控制和单同步MOSFET解决方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特点包括：非常低

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38651365

  1. 元器件应用中的利用自旋电子学技术实现待机时零耗电的集成电路

  2. 日本东北大学电气通信研究所与日立制作所利用自旋电子学技术和硅技术，试制成功了运算功能和非易失性内存功能一体化的集成电路。在嵌入MOS晶体管的硅芯片上，通过层叠基于自旋电子学技术的元件之一的磁性隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）元件而实现。除能够实现硅芯片上运算区域与内存区域之间数据的高速传送之外，还可实现集成电路的小型化。 　　另外，如果使用了MTJ元件，就可以实现非易失性内存，因此无需为保持存储数据而一直通电，这样就可将CPU待机状态时耗电量减至零。集成电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38747144

  1. 电源技术中的高性能、小型化DC/DC应用设计技巧

  2. 现在的高效降压DC/DC转换器应用同步整流技术，以满足计算应用的高效要求。驱动器和功率系统必须针对特定工作点进行优化。封装、硅技术和集成技术的进步推动了开关模式电源在功率密度、效率和热性能方面的提高。与分立式方案相比，驱动器加FET(Driver-plus-FET)多芯片模块(MCM)可以节省相当可观的空间。目前的MCM还能提供性能优势，这对笔记本电脑、台式电脑和服务器的电源应用非常关键。 　　“绿色”系统的发展趋势不仅意味着必须采用环保元器件，还对电子产业提出了节能的挑战。能源之星(Ene

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38632763

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的安森美半导体全新PNP与NPN器件针对便携式电子应用

  2. 电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat) BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。       安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vc

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38715831

  1. 模拟技术中的IR推出新型高性能2通道120W D类音频放大器参考设计

  2. IR推出D类音频功率放大器参考设计IRAUDAMP4。与典型的电路设计相比，新型参考设计可帮助设计人员为适用于家庭影院应用、专业放大器、乐器和汽车娱乐系统的所有中压范围的中高功率放大器节省50%的PCB占板面积。 　　IR 亚太区高级销售副总裁曾海邦表示：“这种参考设计可在60W 、4Ω时提供0.004%的THD+N，显示出IR先进的硅技术可让用户利用D类拓扑结构获得最佳的音频性能。” 　　与IR的200V数字音频驱动IC IRS20955和IRF6645 DirectFET数字音频MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 电源技术中的爱普生TFT-SRAM可在低电压下高速运行

  2. 日本精工爱普生公司(Seiko Epson)推出世界上首款TFT-SRAM (16Kb)，它的电源电压为3V至6V，访问时间短，它在柔性基底上集成了感应放大器，每个单元包括六个晶体管，它可用作该公司异步8位微处理器ACT11的存储器。   　　为了开发这款TFT-SRAM，爱普生将该存储器的所有电路模块集成到塑料基底的单芯片上，这样可使TFT-SRAM在低电压下高速运行。   　　该公司一直致力于开发小型节能电子器件，现在开始注重薄而轻的柔性器件开发，新近开发的低温聚合硅技术采用薄膜成型技术和S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38565631

  1. 电源技术中的精工爱普生的TFT-SRAM可在低电压下高速运行

  2. 日本精工爱普生公司(Seiko Epson)推出世界上首款TFT-SRAM (16Kb)，它的电源电压为3V至6V，访问时间短，它在柔性基底上集成了感应放大器，每个单元包括六个晶体管，它可用作该公司异步8位微处理器ACT11的存储器。  　　为了开发这款TFT-SRAM，爱普生将该存储器的所有电路模块集成到塑料基底的单芯片上，这样可使TFT-SRAM在低电压下高速运行。  　　该公司一直致力于开发小型节能电子器件，现在开始注重薄而轻的柔性器件开发，新近开发的低温聚合硅技术采用薄膜成型技术和SUF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38607088

  1. 电源技术中的安森美推出低成本高性能低VCE（sat）双极结晶体管

  2. 安森美半导体推出全新系列的高性能低VCE(sat)双极结晶体管(BJT)，该产品降低了电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机, 提供更高的电源效率和更长的电池寿命。  　　该BJT为微型的表面贴装器件，具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力的特性，专为能效控制要求高的低压高速开关应用而设计。应用范围包括，电源管理、电池充电、低压降稳压、振荡器电机、LED背光、电池管理、磁盘驱动器控制和照相机闪光灯。  　　为减小便携式和无线产品制造商的设计成

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38506103
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